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Wafer-Level Raster-Akustikmikroskop
Wafer-Level Raster-Akustikmikroskop

Wafer-Level Raster-Akustikmikroskop

Wafer-Level Raster-Akustikmikroskop-Hochauflösende zerstörungsfreie Prüfung (ZfP) für fortschrittliche Halbleitergehäuse

Unser Wafer-Level-Scanning-Akustikmikroskop (SAM) wurde für höchste Präzision und Zuverlässigkeit entwickelt und ermöglicht zerstörungsfreie Suboberflächen-Bildgebung für die moderne Halbleiterfertigung, das Wafer-Level-Packaging (WLP) und MEMS-Bauelemente. Mithilfe hochfrequenter Ultraschallwellen erkennt dieses System präzise Mikrodefekte wie Delaminationen, Hohlräume, Mikrorisse und Bindungsanomalien – ohne die Probe zu beschädigen.

    EINFÜHRUNG

    Ein Wafer-Level-Scanning-Akustikmikroskop (SAM) ist ein fortschrittliches zerstörungsfreies Prüfsystem (ZfP), das mit hochfrequentem Ultraschall Halbleiterwafer und deren Gehäuse untersucht. Durch die Analyse reflektierter akustischer Echos ermöglicht es Ingenieuren, interne Strukturen Schicht für Schicht mit außergewöhnlicher Klarheit darzustellen.

    Früherkennung von Defekten: Erkennt präzise versteckte Delaminationen, Hohlräume und Mikrorisse in WLP-, 3D-IC- und MEMS-Bauelementen, bevor es zu einem Ausfall im Feld kommt.

    Ertragsoptimierung: Überprüft die Integrität von Flip-Chip-Verbindungen und TSV-Verbindungen, um die Produktionsausbeute zu maximieren und die strikte Einhaltung der Qualitätsstandards zu gewährleisten.

    100 % zerstörungsfrei: Untersucht empfindliche, hochwertige Proben völlig beschädigungsfrei und spart so Material- und Testkosten.

    Beschleunigte Forschung & Entwicklung & Fehleranalyse: Liefert präzise 2D/3D-Bildgebung zur schnellen Diagnose von Fehlern und zur Optimierung der Verbindung.

    MERKMALE

    Wafer-Level Raster-Akustikmikroskop Wafer400-A
    01
    Vollständig im eigenen Haus entwickelte Ultraschall-Kernkomponenten.

    Entspricht höchsten Reinheitsstandards.

    Zertifiziert nach internationalen SEMI-Standards.

    Waferhandhabungsfähigkeit (Ein- und Austrocknen).

    Automatisches Zusammenfügen, Bildgebung, Fehlererkennung und Protokollierung.

    Standardisierte Fabrikkommunikation für die Systemintegration.

    ANWENDUNG

    Anwendbar auf 6-Zoll-, 8-Zoll- und 12-Zoll-Wafer (einschließlich Wafer-zu-Wafer-Bonding) für CIS, Micro LED, MEMS, HBM, DRAM und mehr.

    PARAMETER

    Sondenkonfiguration

    2 oder 4 Sonden, zonales Scannen

    Auflösung

    1–4000 µm

    Bandbreite

    1–500 MHz

    Scanmodi


    Hochpräzises und schnelles Scannen (Interleaved Scanning)

    3-Achsen-Plattform


    Antivibrationsplattform aus Marmor

    X/Y-Achse

    Hochleistungs-Linearmotoren, Portal-Doppelantrieb


    Ultraschallsondenfrequenz

    Kompatibel mit 1–300 MHz

    Erwerbskarte

    6G/s

    Reinraumklasse

    Klasse 100